(បរទេស)៖ ថ្មីៗនេះក្រុមហ៊ុន Samsung Foundry ដែលជាបុត្រសម្ព័ន្ឋរបស់ Samsung និងជាក្រុមហ៊ុនដែលឈានមុខគេក្នុងវិស័យបច្ចេកវិទ្យាបន្ទះឈីបបានប្រកាសថាខ្លួនបានចាប់ផ្តើមការផលិតដ៏ធំនៃបន្ទះឈីបជំនាន់ទី១ របស់ខ្លួននៅលើដំណើរការ 3nm node។ ខណៈការផលិតនេះគឺផ្អែកទៅលើ ស្ថាបត្យកម្ម Transistor ថ្មី Gate-All-Around (GAA) ដែលជាការបោះជំហានបន្ទាប់ពីសា្ថបត្យកម្ម FinFET។

នេះបើយោងតាមការចេញផ្សាយរបស់សារព័ត៌មាន GSMArena នៅថ្ងៃទី០១ ខែកក្កដា ឆ្នាំ២០២២។

ចំពោះបន្ទះឈីបថ្មីនេះបើប្រៀបធៀបទៅនឹង 5nm បច្ចុប្បន្ន បន្ទះឈីប 3nm ជំនាន់ទី១ របស់ Samsung នឹងផ្តល់នូវដំណើរការកាន់តែប្រសើរជាងមុនដល់ទៅ ២៣ភាគរយ ហើយវានឹងកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពលបានរហូតដល់ ៤៥ភាគរយ ខណៈដែលវានឹងមានទំហំតូចជាងមុនដល់ទៅ ១៦ភាគរយបើធៀបទៅនឹង 5nm។

មួយវិញទៀតបន្ទះឈីប 3nm node ជំនាន់ទី២ របស់ Samsung នឹងកាន់តែពិសេសជាងជំនាន់ទី១ទៅទៀត បើធៀបទៅនឹង 5nm ដោយក្រុមហ៊ុនបានអះអាងថា វានឹងអាចកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពលបានរហូតដល់ទៅ ៥០ភាគរយឯណោះ អមជាមួយដំណើរការល្អជាងមុនដល់ទៅ ៣០ភាគរយ និងមានទំហំតូចជាង 5nm ជាង ៣៥ភាគរយ។

យ៉ាងណាមិញការប្រកាសនេះគឺជាព្រឹត្តិការណ៍ដ៏សំខាន់មួយនៅក្នុងកិច្ចខិតខំប្រឹងប្រែងរបស់ Samsung ក្នុងការប្រកួតប្រជែងជាមួយ TSMC ដែលជាអ្នកគ្រប់គ្រងទីផ្សារសម្រាប់ការផលិតបន្ទះឈីបតាមកិច្ចសន្យា និងជាអ្នកផលិតបន្ទះឈីបរបស់ក្រុមហ៊ុន Apple សម្រាប់ iPhones, iPads, MacBooks និង Macs ជាដើម ។ ដោយឡែកការផលិតនេះត្រូវបានគេរំពឹងថា នឹងចាប់ផ្តើមចូលផលិតកម្មដ៏ធំក្នុងត្រីមាសទី២ ឆ្នាំ២០២២នេះ៕