(បរទេស)៖ ប្រធានជាន់ខ្ពស់មួយរូបរបស់ក្រុមហ៊ុនផលិត memory chip ធំជាងគេទីពីររបស់ពិភពលោក SK Hynix បាននិយាយនៅថ្ងៃពុធសប្តាហ៍នេះថា ក្រុមហ៊ុននឹងចាប់ផ្តើមផលិតកម្មដ៏ធំនៃបន្ទះឈីប HBM3E ជំនាន់ថ្មីជាមួយនឹងរូបរាងឌីហ្សាញ 12-layer (ឬ ១២ ស្រទាប់នៃ DRAM) នៅចុងខែកញ្ញានេះ។ នេះបើយោងតាមការចេញផ្សាយដោយទីភ្នាក់ងារសារព័ត៌មាន Reuters នៅថ្ងៃទី០៤ ខែកញ្ញា ឆ្នាំ២០២៤។

ដំណឹងនេះ ត្រូវបានប្រកាសដោយលោក Justin Kim ប្រធានជាន់ខ្ពស់ និងជាប្រធានផ្នែក AI Infra របស់ក្រុមហ៊ុន SK Hynix នៅក្នុងវេទិកាឧស្សាហកម្ម Semicon Taiwan។ យ៉ាងណាមិញ កាលពីខែកក្កដាកន្លងទៅក្រុមហ៊ុនកូរ៉េខាងត្បូងនេះ ក៏ធ្លាប់បានបង្ហាញផែនការដឹកជញ្ជូនបន្ទះឈីប HBM ជំនាន់បន្ទាប់របស់ខ្លួនផងដែរគឺ HBM3E 12-layer ដែលតាមផែនការនឹងចាប់ផ្តើមនៅត្រីមាសទី៤ ឆ្នាំនេះ ដោយឡែក HBM4 និងចាប់ផ្តើមនៅពាក់កណ្តាលឆ្នាំ២០២៥។

បន្ទះឈីប HMB ឬឈ្មោះពេញហៅថា High bandwidth memory ចាប់ផ្តើមផលិតជាលើកដំបូងក្នុងឆ្នាំ២០១៣ ជាបន្ទះឈីបទំនើប និងមានសមត្ថភាពខ្ពស់សម្រាប់គ្រប់គ្រងលើការងារបញ្ញាសិប្បនិម្មិត្ត AI។ ចាប់តាំងពីផលិតបន្ទះឈីបត្រកូលនេះ ក្រុមហ៊ុន SK Hynix បានរាយការណ៍ស្ទើតែរៀងរាល់ឆ្នាំថា ខ្លួនបានលក់អស់ៗពីស្តុក។ ដោយឡែកនៅខែឧសភា ឆ្នាំនេះនាយកប្រតិបត្តិ (CEO) ក្រុមហ៊ុន SK Hynix លោក Kwak Noh-Jung បាននិយាយថា បន្ទះឈីប HBM របស់ខ្លួនដែលត្រៀម ផ្គត់ផ្គង់សម្រាប់ឆ្នាំ២០២៤នេះ បានលក់អស់ហើយ មិនត្រឹមតែប៉ុណ្ណោះសូម្បីតែបន្ទះឈីបដែលត្រៀមផ្គត់ផ្គង់សម្រាប់ឆ្នាំ២០២៥ ក៏ស្ទើតែលក់អស់ដូចគ្នា។

គួរជម្រាបដែរថា ដំណើរការផលិតត្រកូលបន្ទះឈីប HBM នេះមានក្រុមហ៊ុនជាដៃគូសហការធំៗចំនួន ៣ចូលរួមរួមមាន ក្រុមហ៊ុន SK Hynix, Micron និង Samsung Electronics។ SK Hynix គឺជាក្រុមហ៊ុនផ្គត់ផ្គង់ចម្បងនៃបន្ទះឈីប HBM ដល់ Nvidia ហើយបានផ្គត់ផ្គង់បន្ទះឈីប HBM3E នៅចុងខែមីនាដល់អតិថិជនដ៏ធំមួយ ប៉ុន្តែត្រូវបានបដិសេធមិនកំណត់អត្តសញ្ញាណ៕